MMBT4401G-AE3-R دیتاشیت

MMBT4401G-AE3-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBT4401G-AE3-R
حجم فایل 45.8 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت MMBT4401G-AE3-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: UTC(Unisonic Tech) MMBT4401G-AE3-R
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 600mA
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@150mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): -
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 750mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)

محصولات مشابه